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P760/01_2760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅(qū)動(dòng)器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
Frequad-W-CW DUV 單頻連續(xù)激光器 213nm 10mW Frequad-W
HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混頻器（信號(hào)解調(diào)/鎖相放大器等）
ER40-6/125截止波長(zhǎng)1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC（連接器/光纖束/光纜）
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
WISTSense Point 緊湊型高精度光纖傳感器解調(diào)儀（信號(hào)解調(diào)/鎖相放大器等）
CO2激光光譜分析儀
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
FLEX-BF裸光纖研磨機(jī)
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
350-2000nm 1倍紅外觀察鏡
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
S+C+L波段 160nm可調(diào)諧帶通濾波器
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產(chǎn)品中心半導(dǎo)體連續(xù)激光器VCSEL激光器
1567nm VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 1.0mW 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡(jiǎn)稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構(gòu)由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。
更新時(shí)間：2025-03-22
產(chǎn)品型號(hào)：PL-VCSEL-1567-1-A81
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795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C) 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡(jiǎn)稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。
更新時(shí)間：2025-03-14產(chǎn)品型號(hào)：V00145-Group4瀏覽量：3589
852±1nm Philips單模VCSEL激光器 1mW（帶TEC） Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國(guó)內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫(kù)存波長(zhǎng)760nm 用于TDLAS氧氣檢測(cè)，以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗(yàn)，還有852nm用于CS原子冷卻。
更新時(shí)間：2025-03-20產(chǎn)品型號(hào)：ULM852-01-TN-S46FTT瀏覽量：2314
795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips (二極管已停產(chǎn) 芯片在售) Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國(guó)內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫(kù)存波長(zhǎng)760nm 用于TDLAS氧氣檢測(cè)，以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗(yàn)，還有852nm用于CS原子冷卻。
更新時(shí)間：2025-03-07產(chǎn)品型號(hào)：MP794-01-TN-S46FTT瀏覽量：2118
1654nm 帶尾纖VCSEL激光器 測(cè)試CH4 筱曉光子的新款1654nm VCSEL激光器中應(yīng)用了新的發(fā)明的高對(duì)比度光柵層(HCG)，HCG比傳統(tǒng)的分布布拉格反射鏡（DBR）薄約50倍，但具有更高的反射率和更寬的光譜寬度。我們的這款激光器具有高達(dá)8nm的調(diào)諧范圍，調(diào)諧頻率可達(dá)100kHz,是測(cè)試CH4氣體的理想選擇。
更新時(shí)間：2025-03-20產(chǎn)品型號(hào)：PL-VCSEL-1654nm-3-SA瀏覽量：1839